第77回午後 RT 問67 [NEW]
IGBT〈絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ〉で誤っているのはどれか。
1
コレクタ電流の大きさを制御できる。
2
MOS FETと比較してオン抵抗が小さい。
3
ゲート、エミッタ及びコレクタの端子を持つ。
4
MOS FETとトランジスタを組合せた構造である。
5
バイポーラトランジスタと比較してスイッチング速度が遅い。
✓ 正解
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